合肥某芯片厂房百级洁净车间净化工程案例

项目基本信息
项目名称：合肥某8英寸晶圆厂洁净车间升级项目
项目地点：合肥高新区半导体基地
客户名称：合肥XX半导体制造有限公司
项目周期：2024年6月-2025年1月（总工期210天）

晶圆厂洁净车间

项目背景
客户为扩产车规级芯片产能，需将现有厂房升级为百级洁净车间（局部十级），满足IEST-STD-CC1246D标准。核心挑战包括：

光刻区AMC（碱金属）浓度≤0.1μg/m³
温湿度控制：22℃±0.2℃、40%RH±2%（蚀刻工序）
微振动控制：振动加速度≤0.1μm/s²（电子束检测区）
静电防护：表面电位≤±50V（芯片封装区）

核心工程技术
超净空气系统

采用MAU+FFU+化学过滤三级净化，配置U16 ULPA过滤器（99.9999%效率）
集成钠/钾吸附装置，AMC浓度实测0.08μg/m³

微环境控制

光刻机安装微循环净化舱，0.1μm颗粒数≤10颗/m³
应用射流送风技术，温度梯度≤0.15℃/m

振动防控体系

检测区采用主动式电磁隔振系统，振动传递率＜3%
建筑结构设置隔振沟，振动衰减达25dB

智能监控平台

部署AIoT环境管理系统，实现16类参数动态调控
人员动线设置UWB定位，违规闯入响应时间＜0.5秒

芯片厂房洁净车间

技术突破
光刻胶污染防控
挑战：VOC排放导致AMC超标风险
对策：研发活性炭+光催化复合过滤模块，VOC去除率98.6%
晶圆传送洁净保障
对策：开发氮气幕隔离传输系统，氧含量控制≤0.5ppm
突发停电应急处理
配置飞轮储能UPS，洁净环境维持时间≥45分钟

项目成果
百级洁净区0.1μm颗粒数实测4颗/m³（ISO Class 3标准）
晶圆缺陷密度从0.8/cm²降至0.15/cm²
车间综合能耗较改造前降低37%，年节电210万度

客户评价
"净化工程团队创新研发的AMC吸附装置，使光刻机维护周期延长3倍，车间连续6个月无环境相关质量事故，产能提升28%。"